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MDPpro 850+少子壽命測(cè)試儀用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。特征直拉硅單晶硅錠中的滑移線壽命范圍20ns至100ms（樣品電阻率>0.3Ohmcm）SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110測(cè)試速度線掃描<30s完整的面掃秒<5min同時(shí)測(cè)量壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率直拉硅單晶硅錠中的滑移線自動(dòng)幾 -
RESmap電阻率測(cè)試儀特征電阻率的非接觸式測(cè)量和成像高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化信號(hào)靈敏度基于線圈頻率讀數(shù)（正在申請(qǐng)專利）的高信號(hào)靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測(cè)量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性測(cè)量時(shí)間測(cè)量時(shí)間<3s，測(cè)量之間時(shí)間<1s測(cè)量速度200mm晶圓/晶錠<30s，9個(gè)點(diǎn)多點(diǎn)測(cè)量及測(cè)繪顯示最高9999個(gè)點(diǎn)材料外形尺寸平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜X-Y -
MDpicts 微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀MDpicts微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀圖1.與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)靈敏度：半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷分析的高靈敏度溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒沾污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等重復(fù)性：>99.5%，測(cè)量時(shí)間：<60分鐘。液氮消耗：2升/次靈活性：從365nm到1 -
MDPmap 晶圓片壽命檢測(cè)儀特性靈敏度：對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè)，具有可視化測(cè)試的高分辨率測(cè)量速度：6英寸硅晶圓片，1mm分辨率，小于5分鐘壽命測(cè)試范圍:20納秒到幾十毫秒沾污檢測(cè)：源自坩堝和生長(zhǎng)設(shè)備的金屬(Fe)污染測(cè)量能力：從初始切割的晶圓片到所有工藝加工的樣品靈活性：允許外部激光通過(guò)觸發(fā)器，與探測(cè)模塊耦合可靠性：模塊化和緊湊臺(tái)式儀器，更高可靠性，正常運(yùn)行時(shí)間>99%重現(xiàn)性：>99.5%電阻率：無(wú)需 -
MDPspot 單點(diǎn)壽命檢測(cè)儀桌面單點(diǎn)測(cè)量低成本的臺(tái)式少子壽命測(cè)量系統(tǒng)，對(duì)不同制備階段的硅材料電學(xué)參數(shù)進(jìn)行表征。沒(méi)有內(nèi)置自動(dòng)化。可選配手動(dòng)z軸，用于厚度在156毫米以下的晶錠。MDPspot可配電阻率測(cè)試選項(xiàng)。僅適用于硅，用于晶圓片，也可用于晶錠。結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。特性無(wú)接觸和非破壞的電學(xué)參數(shù)測(cè)試對(duì)外延工藝監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè)，具有高分辨的可視化測(cè)試對(duì)于不同級(jí)別晶圓片，提供不同的菜單選項(xiàng)優(yōu)勢(shì)用于不同制備階段，從成體到最 -
MDPinline ingot 晶錠在線面掃檢測(cè)儀MDPinlineingot系統(tǒng)是一種多晶硅晶錠電學(xué)參數(shù)特性測(cè)量工具。它是專為高通量工廠的單塊晶錠測(cè)試而研發(fā)的。每塊晶錠可以在不到一分鐘時(shí)間里測(cè)量其四面。所有的圖譜(壽命，光電導(dǎo)率，電阻率)都是同時(shí)測(cè)量的。該系統(tǒng)包括一個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)和統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)評(píng)估，可用于自動(dòng)確定精確的切割位置，以提高成品率。用于材料質(zhì)量監(jiān)控，爐選擇和工藝改進(jìn)。性能無(wú)接觸破壞的半導(dǎo)體特性少數(shù)載流子壽命的檢測(cè)能力Automateddet -
MDPinline 晶圓片在線面掃檢測(cè)儀MDPinline是一種用于快速定量測(cè)量載流子壽命并集成掃描功能的檢測(cè)儀。通過(guò)工廠安裝的傳送帶將晶圓片移至儀器，在不到一秒的時(shí)間內(nèi)，就可以“動(dòng)態(tài)”測(cè)量出晶圓圖。該儀器本身不使用機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件，因此在連續(xù)操作下也非常可靠。它為每個(gè)晶圓片提供完整的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這為提高生產(chǎn)線的成本效益和效率提供了新的途徑。例如，在不到3個(gè)小時(shí)的時(shí)間內(nèi)，對(duì)10000個(gè)晶圓片的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行自動(dòng)統(tǒng)計(jì)評(píng) -
MDPpro 晶圓片/晶錠壽命檢測(cè)儀根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無(wú)損成像(μPCD/MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。日常壽命測(cè)量，質(zhì)量控制和檢驗(yàn)產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天測(cè)量速度：對(duì)于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘良品率提升：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠質(zhì)量控制：用于過(guò)程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶
