MDPpro 850+少子壽命測試儀
用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。
用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
特征
直拉硅單晶硅錠中的滑移線
壽命范圍
20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）
SEMI標準
PV9-1110
測試速度
線掃描 < 30s
完整的面掃秒 < 5min
同時測量
壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率
直拉硅單晶硅錠中的滑移線
自動幾何形狀識別
含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量
G12、M10晶磚和晶圓片
應用
- 壽命 &電阻率面掃描
- 晶體生長監(jiān)控（即滑移線）
- 污染監(jiān)測
- 氧條紋/OSF環(huán)
- p型摻雜硅的鐵面掃描圖
- 光束感應電流（LBIC）
- 發(fā)射極層的方阻
- 更多…
MDP studio – 操作和評估軟件
基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進行遠程操作和技術支持- 用戶友好且先進的操作軟件具有：
導入和導出功能
帶有操作員的用戶結(jié)構
所有執(zhí)行的測量概覽
樣品參數(shù)輸出
單點測量（例如：注入濃度相關的測量）
面掃描
測試配方
分析功能包
線掃描和單點瞬態(tài)視圖
配置選項
光斑尺寸變化
電阻率測量（晶磚和晶圓片） 多晶硅晶圓線掃描
背景/偏置光
反射測量（MDP）
LBIC
p型摻雜硅中的鐵圖譜 - p/n檢測
條碼讀取器 HJT晶圓的壽命測量
自動幾何識別
寬的激光器波長范圍
多晶硅晶圓線掃描
HJT晶圓的壽命測量技術規(guī)格
| 材料 | 單晶硅 | |
| 晶錠尺寸 | 125×125至210×210mm2， 晶磚長850mm或更長 | |
| 晶圓尺寸 | 直徑可達300 mm | |
| 電阻率范圍 | 0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍 | |
| 導電類別 | p/n | |
| 可測量的參數(shù) | 壽命-μPCD/MDP（QSS）、光電導率、電阻率等 | |
| 默認激光器 | IR激光二極管（980 nm，最大500 mW）和IR激光二極管（905 nm，最大9000 mW）。 可根據(jù)要求提供其他波長 | |
| 電腦 | Windows 11或最新版本、.NET Framework更新、2個以太網(wǎng)端口 | |
| 電力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A | |
| 尺寸 (寬×高×長) | 2560 × 1910 × 1440 mm | |
| 重量 | 約200kg | |
| 認證 | 根據(jù)ISO 9001準則制造，符合CE要求 | |
應用
鐵濃度測定
鐵濃度的精確測定非常重要，因為鐵是硅中最豐富且也是最有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確、快速地測量鐵濃度，并具有非常高的分辨率，最好是在線測量。
缺陷濃度測定許多壽命測量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在極低的注入濃度下都存在異常高的測量壽命。這種效應是由于樣品中的捕獲中心造成的。這些捕獲中心對于了解材料中載流子的行為非常重要，并且也會對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率來測量缺陷密度和這些缺陷中心的活化能。
摻雜樣品的光電導測量B和P元素的注入在微電子工業(yè)中有許多應用，但到目前為止，還沒有方法可以在不接觸樣品，并由于必要的退火步驟而改變其特性的情況下檢查這些注入的均勻性。迄今為止的困難是注入?yún)^(qū)域的深度通常只有幾微米，而且注入劑量非常低。MDP能夠以高分辨率和不同注入劑量之間的良好區(qū)分來表征這些注入樣品。
與注入濃度相關的測量少數(shù)載流子壽命很大程度上取決于注入濃度（過剩載流子濃度）。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出有關主要重組中心和捕獲中心的信息。
