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半導體晶圓片和晶錠的電阻率測量電阻率是材料最重要的電參數(shù)之一。它是半導體器件(如太陽能電池)性能的關鍵參數(shù)，并取決于材料的摻雜密度。因此，為了檢測摻雜密度的不均勻性，需要對電阻率進行高精度、高分辨率的測量。使用德國freibergMDPmap和MDPingot，可以通過渦流測量高精度和分辨率為1毫米的方式來測量晶圓片或晶塊的電阻率。由于距離相關的內(nèi)部校準矩陣，渦流傳感器有一個非常好的長期穩(wěn)定性。因此，每一個電阻率圖都是測量 -
少子壽命測試儀研究各種半導體材料、器件和介質(zhì)材料的電性能和缺陷我們新的MDP方法可以研究各種半導體材料、器件和介質(zhì)材料的電性能和缺陷。MDP是一種接觸少、無破壞的方法，因此不需要樣品制備。唯一的例外是對于大體積樣品性質(zhì)的研究，這時硅樣品的表面鈍化是必要的。樣品的形狀和尺寸沒有限制，從納米材料粉末到12英寸晶圓樣品都適用。顯然，市場上所有的半導體都可以被檢測。從各種電子級和多晶硅開始，由于它的高靈敏度，甚至可以表征薄外延層和變形硅的質(zhì)量。對砷化鎵、InP、 -
少子壽命檢測在SiC領域的應用近年來碳化硅材料的質(zhì)量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成為硅的競爭對手。由于碳化硅是一種寬帶隙半導體，與硅相比，它有許多優(yōu)點。少數(shù)載流子壽命是關系半導體器件性能的基本參數(shù)之一，特別是SiC在高壓器件中的應用。因此，有必要進行壽命檢測，以獲得某一器件的最佳性能。為了制造出最高成品率的SiC器件，需要一種具有高分辨率的材料表征方法，以及一種研究SiC缺陷來源的方法，以進一步提高SiC器件的質(zhì)
